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替代低GWP蝕刻氣體的環(huán)保選擇


替代低GWP蝕刻氣體的環(huán)保選擇  
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高GWP值的蝕刻氣體主要包括四氟化碳(CF4)、八氟環(huán)丁烷(C8F18)、六氟乙烷
(C2F6)、三氟甲烷(CHF3)等。這些氣體在蝕刻過程中表現(xiàn)出較高的溫室效應(yīng)潛
值(GWP值)，對(duì)環(huán)境影響較大。

具體蝕刻氣體的GWP值和用途
四氟化碳(CF4)：主要用于蝕刻二氧化硅、氮化硅等介質(zhì)材料，GWP值較高。
八氟環(huán)丁烷(C8F18)：同樣用于蝕刻工藝，GWP值較高
六氟乙烷(C2F6)：在蝕刻過程中，GWP值較高。
三氟甲烷(CHF3)：用于蝕刻工藝，GWP值較高。
替代低GWP蝕刻氣體的選擇
為了減少對(duì)環(huán)境的影響，可以考慮使用低GWP值的蝕刻氣體，如六氟丁二烯
(C4F6)。六氟丁二烯具有選擇性高、蝕刻進(jìn)度高、蝕刻效率高的特點(diǎn)，環(huán)境友
好。溫室效應(yīng)潛值(GWP值)僅為290，大氣壽命為1.9天，是唯一具有優(yōu)異蝕刻
性能和環(huán)保性能的含氟電子蝕刻氣體。

紐瑞德氣體知識(shí)展示圖2


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