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關(guān)鍵氣體解析：CVD與摻雜過(guò)程的必備元素


關(guān)鍵氣體解析：CVD與摻雜過(guò)程的必備元素  

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1、外延(生長(zhǎng))混合物:在半導(dǎo)體行業(yè)，化學(xué)氣相積累的方法選擇在精心選擇的襯底
上。用于生長(zhǎng)一層或多層材料的氣體稱(chēng)為外延氣體。常用的硅外延氣體包括二氯
二氫硅（DCS）、四氯化硅(SiCl4)和硅烷。主要用于光傳感器的非晶硅膜積累，
如外延硅積累、氧化硅膜積累、氮化硅膜積累、太陽(yáng)能電池等。外延是一種單晶
材料在襯底表面積累和生長(zhǎng)的過(guò)程。
2、化學(xué)氣相積累（CVD）使用混合氣體:CVD是一種利用揮發(fā)性化合物，通過(guò)氣
相化學(xué)反應(yīng)積累某些單質(zhì)和化合物的方法，即使用氣相化學(xué)反應(yīng)的成膜方法。根
據(jù)成膜類(lèi)型，使用的化學(xué)氣相積累（CVD）氣體也不一樣。
3、混合氣體:進(jìn)口電子氣體和微信號(hào)bluceren咨詢(xún)?cè)诎雽?dǎo)體設(shè)備和集成電路制造
中。將一些雜質(zhì)混合到半導(dǎo)體材料中，使材料具有所需的導(dǎo)電類(lèi)型和一定的電阻
率，從而制造電阻、PN結(jié)和埋層�；旌线^(guò)程中使用的氣體稱(chēng)為混合氣體。主要包
括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷
等。混合源通常與運(yùn)輸氣體(如氬氣和氮?dú)?混合在源柜中。混合后，氣流連續(xù)注入
擴(kuò)散爐，周?chē)蔷旌蟿┍砻鎽?yīng)沉積在晶片中。
4、蝕刻混合物:蝕刻是蝕刻基板上的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜等。)，并保存
光刻膠覆蓋的區(qū)域，以獲得基板表面所需的成像圖形。蝕刻方法包括濕法化學(xué)蝕
刻和干法化學(xué)蝕刻。用于干法化學(xué)蝕刻的氣體稱(chēng)為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常是氟
化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等氟化物氣體。


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