特種氣體在LED中的應(yīng)用
特種氣體在LED中的應(yīng)用
一、概述
特種氣體是光電子、微電子等領(lǐng)域,特別是超大規(guī)模集成電路、
液晶顯示器件、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半
導(dǎo)體材料制造過(guò)程不可缺少的基硅性支撐源材料。它的純度和
潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質(zhì)量、集成度、特
定技術(shù)指標(biāo)和成品率,并從根本上制約著電路和器件的精確性
和準(zhǔn)確性。
液晶顯示器件、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半
導(dǎo)體材料制造過(guò)程不可缺少的基硅性支撐源材料。它的純度和
潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質(zhì)量、集成度、特
定技術(shù)指標(biāo)和成品率,并從根本上制約著電路和器件的精確性
和準(zhǔn)確性。
半導(dǎo)體照明是正處于方興未艾的產(chǎn)業(yè),隨著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)
的擴(kuò)展,特種氣體的需求呈現(xiàn)更大的增長(zhǎng),外延生長(zhǎng)需要大量
的超純?cè)春瓦^(guò)程氣體。目前臺(tái)灣和日本的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)上
占有率較高,近年來(lái), 中國(guó)、韓國(guó)的發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁,北美、
歐洲的占有率也有所增長(zhǎng)。
的擴(kuò)展,特種氣體的需求呈現(xiàn)更大的增長(zhǎng),外延生長(zhǎng)需要大量
的超純?cè)春瓦^(guò)程氣體。目前臺(tái)灣和日本的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)上
占有率較高,近年來(lái), 中國(guó)、韓國(guó)的發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁,北美、
歐洲的占有率也有所增長(zhǎng)。
應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)中的特種氣體因?yàn)榉N類(lèi)繁多、品質(zhì)要求嚴(yán)格,
生產(chǎn)、充裝、運(yùn)送、儲(chǔ)存都有技術(shù)及安全的要求,再加上經(jīng)濟(jì)
規(guī)模等因素,需要多方面的積累,才能實(shí)現(xiàn)規(guī);a(chǎn),因此
目前國(guó)內(nèi)呈現(xiàn)現(xiàn)市場(chǎng)大、供應(yīng)能力小的局面。
生產(chǎn)、充裝、運(yùn)送、儲(chǔ)存都有技術(shù)及安全的要求,再加上經(jīng)濟(jì)
規(guī)模等因素,需要多方面的積累,才能實(shí)現(xiàn)規(guī);a(chǎn),因此
目前國(guó)內(nèi)呈現(xiàn)現(xiàn)市場(chǎng)大、供應(yīng)能力小的局面。
二、應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)的特種氣體
半導(dǎo)體工業(yè)用氣體品種多、質(zhì)量要求高、用量少,大部分是有
毒或腐蝕性氣體。品種高達(dá)百余種。半導(dǎo)體工業(yè)特種氣體應(yīng)用
分類(lèi),主要包括:
毒或腐蝕性氣體。品種高達(dá)百余種。半導(dǎo)體工業(yè)特種氣體應(yīng)用
分類(lèi),主要包括:
2、應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)的特種氣體
半導(dǎo)體工業(yè)用氣體品種多、質(zhì)量要求高、用量少,大部分是有
毒或腐蝕性氣體。品種高達(dá)百余種。半導(dǎo)體工業(yè)特種氣體按照
應(yīng)用分類(lèi),主要包括:
毒或腐蝕性氣體。品種高達(dá)百余種。半導(dǎo)體工業(yè)特種氣體按照
應(yīng)用分類(lèi),主要包括:
1、硅族氣體:含硅基的硅烷類(lèi),如硅烷、二氯二氫硅、乙硅
烷等
烷等
2、摻雜氣體:含硼、磷、砷等三族及五族原子之氣體,如三
氯化硼、三氟化硼、磷烷、砷烷等。
氯化硼、三氟化硼、磷烷、砷烷等。
3、蝕刻清洗氣體:以含鹵化物及鹵碳化合物為主,如氯氣、
三氟化氮、溴化氫、四氟化碳、六氟乙烷等。
三氟化氮、溴化氫、四氟化碳、六氟乙烷等。
4、反應(yīng)氣體:以碳系及氮系氧化物為主,如二氧化碳、氨、
氧化亞氮等。
氧化亞氮等。
5、金屬氣相沉積氣體:含鹵化金屬及有機(jī)烷類(lèi)金屬,如六
氟化鎢、三甲基鎵等。
氟化鎢、三甲基鎵等。
在LED產(chǎn)業(yè)鏈中,外延技術(shù)、設(shè)備和材料是外延片制造技術(shù)
的關(guān)鍵。當(dāng)前MOCVD工藝已成為制造絕大多數(shù)光電子材料
的基本技術(shù)。外延技術(shù)需要的超純特種氣體包括高純砷烷、
高純磷烷、高純氨氣,砷化鎵生產(chǎn)中應(yīng)用硅烷N型摻雜,而
氯化氫和氯氣常常用做蝕刻氣,氬、氫、氮?jiǎng)t是必須的載氣。
同時(shí)外延生長(zhǎng)需要的有機(jī)源主要是三甲基鎵,三甲基銦,三
甲基鋁,二乙基鋅,二甲基鋅,二茂鎂等,F(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展
對(duì)這些產(chǎn)品的品質(zhì)要求也越來(lái)越高。
的關(guān)鍵。當(dāng)前MOCVD工藝已成為制造絕大多數(shù)光電子材料
的基本技術(shù)。外延技術(shù)需要的超純特種氣體包括高純砷烷、
高純磷烷、高純氨氣,砷化鎵生產(chǎn)中應(yīng)用硅烷N型摻雜,而
氯化氫和氯氣常常用做蝕刻氣,氬、氫、氮?jiǎng)t是必須的載氣。
同時(shí)外延生長(zhǎng)需要的有機(jī)源主要是三甲基鎵,三甲基銦,三
甲基鋁,二乙基鋅,二甲基鋅,二茂鎂等,F(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展
對(duì)這些產(chǎn)品的品質(zhì)要求也越來(lái)越高。
在半導(dǎo)體化合物生產(chǎn)過(guò)程中,除了純特種所之外,還需要部
分混合氣體,主要包括SiH4/H2.SiH4/N2作為成膜源用量盡
管不大,但是對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求極高,配制混合氣體的露點(diǎn)達(dá)
到-95℃以下,只有這樣才可以保證外延片生長(zhǎng)的成品率。
分混合氣體,主要包括SiH4/H2.SiH4/N2作為成膜源用量盡
管不大,但是對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量要求極高,配制混合氣體的露點(diǎn)達(dá)
到-95℃以下,只有這樣才可以保證外延片生長(zhǎng)的成品率。
化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)展,帶動(dòng)原材料市場(chǎng)的迅速提升,包
括晶圓、襯底、蝕刻劑、過(guò)程氣體、有機(jī)金屬化合物、測(cè)試
和包裝材料等的需求每年以大約21%的比例遞增,而過(guò)程氣
體(砷烷、磷烷、氨氣、氬、氫、氮、氯化氫、氯氣等)占
整體原料的消耗8%。
括晶圓、襯底、蝕刻劑、過(guò)程氣體、有機(jī)金屬化合物、測(cè)試
和包裝材料等的需求每年以大約21%的比例遞增,而過(guò)程氣
體(砷烷、磷烷、氨氣、氬、氫、氮、氯化氫、氯氣等)占
整體原料的消耗8%。
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