電子集六氟化硫還是一種理想的蝕刻劑，六氟化硫是一種絕緣性極佳的氣體，經常被用于高壓滅弧以及變電器、高壓傳輸線、互感器等當中。電子級高純六氟化硫做蝕刻劑，被大量應用于微電子技術領域。今天紐瑞德小編就為大家介紹一下六氟化硫在氮化硅蝕刻中的應用和不同參數的影響吧。
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我們探討SF6電漿蝕刻SiNx製程，包括改變電漿功率、SF6/He的氣體配比并加入陰電性氣體O2，探討其對TFT之元件保護層SiNx的蝕刻速率的影響，并利用電漿放射光譜儀對SF6/He、SF6/He/O2電漿中各物種濃度變化及SF6解離率進行分析，探討SiNx蝕刻速率之變化與電漿物種濃度之關連性。
研究發(fā)現，提高電漿功率時，蝕刻速率隨之上升；若增加電漿中SF6的流量，則F原子濃度增加且與蝕刻速率成正相關。另在總流量固定下添加陰電性氣體O2后，則會產生增加蝕刻速率的效果，但在不同的O2/SF6流量配比下，則會有不同的反應機構，可分成三部分：
(1)O2/SF6流量配比值很小時，O2可幫助SF6的解離，此時蝕刻速率比未添加O2時為大。
(2)當O2/SF6流量配比值大于0.2到趨近于1的區(qū)間時，此時因SF6大量解離形成F原子，故蝕刻速率是最高的；但同時電漿中O原子也在增加且易與SiNx膜面形成SiOx或SiNxO(y-x)，而O原子增加愈多則使F原子愈不易進行蝕刻反應，故O2/SF6比值接近1時蝕刻速率開始趨緩。
(3)當O2/SF6配比值大于1時，蝕刻速率下降。因O2大量增加，解離的F原子與O2發(fā)生碰撞并形成OF，降低F原子濃度，而導致蝕刻速率的降低。由此中可知，當添加O2后，O2/SF6的流量比值=0.2~0.8之間，可得到最佳的蝕刻速率。
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